Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Row Precharge Delay (tRP):-
Дополнительная информация:-
описание:Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Модель:M425R1GB4BB0-CWM
Объем одного модуля (ГБ):8
manufacturerCountry:Филиппины
название:Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Напряжение (В):1.1
RAS to CAS Delay (tRCD):-
gtdNumber:10005030/301123/5031268/002
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
22565e78715c1878179ebe257d98fb28
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
описание
Модель
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
название
Напряжение (В)
RAS to CAS Delay (tRCD)
gtdNumber
Тайминги
Тип оборудования
Поддержка Reg
Чип
Частота (MHz)
Общий объем памяти (ГБ)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
rusName
Расширенная операционная температура (Tcase)
сайт производителя
Потребление энергии
Линейка
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
гарантия
Высота (мм)
Поддержка ECC
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)
Тип модуля
Радиатор
Низкопрофильная
Количество контактов
Подсветка
Производитель