Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Тип модуля:SO-DIMM
Поддержка водяного охлаждения:-
CAS Latency (CL):-
Радиатор:Нет
Низкопрофильная:Нет
Производитель:Samsung
Количество контактов:262
Подсветка:Нет
описание:Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Row Precharge Delay (tRP):-
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
e95327825ae0b25a050ea72f55e5a42a
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)
Радиатор
Низкопрофильная
Производитель
Количество контактов
Подсветка
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
manufacturerCountry
Модель
Объем одного модуля (ГБ)
Напряжение (В)
название
RAS to CAS Delay (tRCD)
Тип оборудования
gtdNumber
Тайминги
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Чип
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Габариты (мм)
Количество чипов на модуле
rusName
Расширенная операционная температура (Tcase)
Линейка
сайт производителя
Потребление энергии
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Вес (грамм)
Поддержка ECC
гарантия
Высота (мм)